SK 海力士拟在美新建 NAND 工厂，换取为中国工厂引进更多美国设备的机会

IT之家 10 月 15 日消息，路透社今日报道称，SK 海力士正试图以在美国建设新厂的方式，向美国政府换取为中国大连工厂引进更多美国制造的半导体设备的许可。 两名知情人士透露，SK 海力士希望通过提升中国工厂的产能，为美国新工厂提供资金支持，并逐步扩大其在美国的生产布局。 美国政府正推动 SK 海力士、三星电子等海外半导体企业赴美建厂，以提升美国本土制造能力并创造就业岗位。与此同时，人工智能和云计算数据中心需求增长，全球存储芯片供应趋紧，NAND 闪存价格持续上涨，也促使相关厂商考虑扩大生产。 据路透社报道，SK 海力士旗下美国子公司 Solidigm 希望在中国大连工厂尚未充分利用的厂房区域安装更多设备，用于生产 NAND 闪存。 据介绍，大连工厂使用的半导体设备来自美国厂商，包括泛林集团（Lam Research）、应用材料（Applied Materials）和科磊（KLA）。相关厂区名为 Mod B，于 2023 年建成，但由于当时存储市场低迷，设备安装工作未能完成。 知情人士称，该区域目前已经安装了部分设备，仍有空间容纳更多生产工具。Solidigm 已申请出口许可证，希望采购额外设备用于该区域。 SK 海力士向路透社表示，Mod B 的设备安装工作正在与美国政府密切协商、并在获得授权的情况下进行。该公司同时强调，目前并未寻求扩大大连 Mod B 的产能。Solidigm 则拒绝对此事置评。 路透社此前于 9 月报道称，Solidigm 正考虑在美国建设 NAND 闪存工厂，纽约州北部是当时的主要候选地点之一。知情人士表示，如果大连工厂能够提高产量，新增业务收入将有助于支付美国新工厂的建设费用，并为未来扩大美国本土生产提供过渡。另一名知情人士还透露，Solidigm 正考虑最早于 2027 年进行首次公开募股（IPO），以筹集可能用于新工厂建设的资金。 除美国新建 NAND 工厂的计划外，SK 海力士还在与英特尔洽谈租用其位于俄亥俄州、规划已久的半导体制造设施的部分空间。该公司也已在印第安纳州启动一座先进封装工厂的建设，主要面向高带宽内存（HBM）产品。

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