长鑫技术新突破，融合 4F² 架构等先进技术的 DDR5 RDIMM 产品预计年底亮相

IT之家 10 月 10 日消息，长鑫存储 4F² DRAM 架构研发近期取得关键进展。该公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲，全面介绍了长鑫存储在 DRAM 器件、4F² 架构及混合键合等方向的技术探索与积累， 并官宣预计年底将推出融合了上述先进技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品 。 据曹堪宇博士介绍，长鑫自成立以来就启动了 4F² 的研究和专利布局，公开专利族超 300 件，数量领先海内外厂商。长鑫在 2021 年发布了大陆首篇 4F² 架构相关的论文，并在 2023 年、2025 年的两篇论文中分享了在该架构上的研发进展。 IT之家查询获悉，当前行业主流 DRAM 单元为 6F² 架构。在 DRAM 芯片设计中，一个存储单元通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）组成。 4F² 意味着每个单元仅占 4 倍最小特征尺寸的平方，实现了存储密度的提升 。而从 6F² 到 4F² 的跨越是根本性变革，原有 6F² 工艺无法直接复用，需要全新器件与工艺体系。 据悉，研发过程中，长鑫存储对多项核心工艺流程展开了深度技术探索与突破，全面优化涵盖字线金属化、位线成型以及结激活等关键工艺，以实现最优的性能与功耗比。 此次演讲未提及长鑫即将推出的 DDR5 RDIMM 的规格信息和发布时间。然而，DDR5 RDIMM 作为服务器市场的主流配置。这意味着， 长鑫将 4F² 架构的首代产品定为 DDR5 RDIMM，将直面服务器内存领域极高的技术与工程壁垒 。 相关阅读： 《 SK 海力士：4F2 VG 和 3D DRAM 技术将应用于 10nm 及以下级内存 》 《 SK 海力士：内存 EUV 光刻成本快速增长，考虑转向 4F2 或 3D DRAM 》 《 TechInsights：3D、4F2 等新结构 DRAM 内存有望于 0C 节点量产 》

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