三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片

IT之家 10 月 18 日消息，据首尔经济日报今日报道，三星电子将采用全球最大晶圆代工厂台积电的制造工艺，生产英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）的核心组件 —— 基底裸片（base die）。在此之前，三星供应的所有 HBM 产品中，作为存储芯片的核心裸片（core die）与充当系统半导体的基底裸片，均由三星自主生产。如今三星决定接受英伟达的技术要求， 调整 HBM 的一站式全包制造模式 。 业内消息人士 18 日称，英伟达已向三家 NVHBM 供应商 —— 三星电子、SK 海力士（ 000660.KS ）和美光提出要求：使用台积电 3 纳米工艺制造基底裸片。英伟达同时要求，核心裸片统一采用代号 1c 的第六代 DRAM 工艺。NVHBM 基于第七代下一代 HBM 标准 HBM4E 架构开发，是英伟达在 8 月发布的定制版高带宽内存。 IT之家从报道获悉，英伟达提出这一要求，是因为各家 HBM 供应商制造方案各不相同， 难以基于同一套设计实现稳定一致的性能 。标准化也能减轻针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部（Device Solutions）经过内部评估，决定接受英伟达的要求。 报道提到，对于标准 HBM 产品，三星仍会保留一站式全包生产策略。今年三星全球率先量产第六代 HBM4，目前第七代 HBM4E 正在进行量产验证；这两款产品的基底裸片都采用三星自研 4 纳米代工工艺，核心裸片则在三星华城、平泽厂区的 1c 产线生产。 面向 AMD 等其他客户的定制 HBM，三星计划继续沿用一站式全包生产方案。同时三星也保留了在自家晶圆厂研发、生产 NVHBM 的可能性。一位业内人士表示：“三星正在验证，能否在自有产线上制造 NVHBM 基底裸片。这是一项预案，防止 NVHBM 需求超出台积电产能上限。”

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